Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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      Samsung MZ-V9S4T0, 4 TB, M.2, 7150 MB/s

      Quantità:
      In Stock 22 articoli
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      Velocità spettacolare ogni giorno
      Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

      Energia per tutta la giornata
      Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

      Più spazio. Massima velocità.
      Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

      Software Samsung Magician
      Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

      Diamo vita alle idee
      Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

      Performance
      Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

      Efficienza energetica
      Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

      Versatilità
      Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

      Samsung MZ-V9S4T0. Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC
      Caratteristiche
      Capacità SSD4 TB
      Dimensione SSDM.2
      InterfacciaPCI Express 4.0
      NVMe
      Versione di NVMe2.0
      Tipo memoriaV-NAND TLC
      Componente perPC
      criptaggio hardware
      Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AES
      Dimensioni dell'unità SSD M.22280 (22 x 80 mm)
      Velocità di lettura7150 MB/s
      Velocità di scrittura6300 MB/s
      Lettura casuale (4KB)850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
      Scrittura casuale (4KB)1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
      Supporto TRIM
      Tempo medio tra guasti (MTBF)1500000 h
      Dimensioni e peso
      Larghezza80,2 mm
      Profondità2,38 mm
      Altezza22,1 mm
      Peso9 g
      Condizioni ambientali
      Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °C
      Samsung
      MZ-V9S4T0BW-ES01
      22 Articoli

      Scheda tecnica

      Interfaccia
      PCI Express 4.0
      Componente per
      PC
      Capacità SSD
      4 TB
      Dimensione SSD
      M.2
      Tipo memoria
      V-NAND TLC
      NVMe
      criptaggio hardware

      Riferimenti Specifici

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